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厂商型号

2N5401CTA 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT PNP Transistor General Purpose

内部编号

3-2N5401CTA

#1

数量:7381
1+¥1.288
25+¥1.159
100+¥0.798
250+¥0.721
500+¥0.618
1000+¥0.541
最小起订量:1
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2N5401CTA产品详细规格

文档 Copper Lead Frame 12/Oct/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 600mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 150V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 60 @ 10mA, 5V
功率 - 最大 625mW
频率转换 400MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Tape & Box (TB)
集电极最大直流电流 0.6
最低工作温度 -55
安装 Through Hole
Maximum Transition Frequency 400
包装宽度 4.19(Max)
PCB 3
最大功率耗散 625
类型 PNP
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 160
最大集电极发射极电压 150
供应商封装形式 TO-92
标准包装名称 TO-92
最高工作温度 150
包装长度 5.2(Max)
引脚数 3
最小直流电流增益 30@1mA@5V|60@10mA@5V|50@50mA@5V
包装高度 5.33(Max)
最大基地发射极电压 5
封装 Ammo
铅形状 Formed
电流 - 集电极( Ic)(最大) 600mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 400MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 5mA, 50mA
标准包装 2,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 150V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 625mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 60 @ 10mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 2000
增益带宽产品fT 300 MHz
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO - 5 V
最大功率耗散 625 mW
直流集电极/增益hfe最小值 60
直流电流增益hFE最大值 240
集电极 - 发射极最大电压VCEO - 150 V
安装风格 Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO - 160 V
最低工作温度 - 55 C
集电极最大直流电流 0.6 A
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 - 600 mA

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